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AXD安信達測試篩選Nand Flash（閃存芯片）分析儀設備
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簡介 NFA100是一套功能強大且極具靈活性的Nand Flash分析系統，它最大限度地滿足用戶的對于Nand Flash的信息分析需求以及對這些信息的再處理需求。 1. NFA100最大限度地提供NAND的各種原始信息。 對NAND的認知(原始信息)只能通過對NAND發送各種command,同時讀取output. NFA100除了可以發送erase, program, read, reset, getID等簡單command外， 還能發送諸如set feature/get feature等command。這樣，很容易實現Nand Flash的readretry（RR）等方面的測試。 NFA100還能發送用戶自定義的command (1-byte command)，可支持于客戶的一些特殊測試。 2. 有能力對（1）的各種原始信息進行再處理 NFA100有很強的對原始信息的再處理能力，Renice也可以開發各種算法為客戶提供建議/客制。比如bad block detection和nand sorting. 3. NFA100為客戶提供了一個完全開放的平臺，非常方便客戶自行按照自己的需求設計各種測試。 NFA100提供了兩種不同級別的用戶開發平臺 3.1. API 通過API,各種對NAND Flash的操作及設定,用戶都可以通過調用NFA100提供的庫程序在自己的軟件中方便的實現自己需要的功能。 3.2.腳本（script） NFA100提供了一套自己的編程語言，用戶可以在NFA100的環境（界面）下執行自定義的script。 4. NFA100采用分布式架構，即每一個子板（SUB board）上都有NAND controller, 因此對于部分測試功能無須占用主機資源。使其operation速度可以很快。 program的throughput的設計spec可以達到: 1GB/s read的throughout的設計spec可以達到: 1.5GB/s 對于產品廠商而言，NFA100的強大功能可以幫助用戶按照可靠性高低需求不同將Nand Flash分為不同的等級，最真實的評估Nand Flash可靠性和真實壽命。 1．對于原廠提供的Nand Flash，NFA100可以測試出真實的P/E次數，如：Nand Flash的規格書上標明的P/E cycle次數為3K，真實的情況可能會有部分芯片擦寫次數大于3K，甚至是6K，篩選出壽命最佳的Nand Flash用于對產品來說更具壽命保障。 2.對于非原裝的Nand Flash，NFA100可以準確的掃描出其壞塊以及即處于臨界狀態的塊；管理功能可以將這些壞塊加以標識和管理，保證數據不會寫入到認為不良的Block上面，從而保障產品的可靠性。 NFA100的這種功能還可以幫用戶判斷所采購的Nand Flash是否為原裝，也可以通過NFA100判斷是否為二手翻新片或者其他假冒偽劣產品。 對于研究機構、高校或公司研發人員而言，NFA100是個靈活的平臺，方便進行各種debug、學術研究和技術開發。 基本特征：
1. 母版
2. 底版
3.分析軟件 分析軟件主要包括下面內容: (主要部分) 1. NAND interface timing setting 2. NAND device power voltage setting 3. NAND device ID information and status check 4. Bad Block scan and management 5. Access time measurement 6. P/E cycle dependence of access time 7. NAND command（Erase, Program, Read） 8. Program pattern settings(Increment, Pseudo Random, Page Stripe etc.） 9. Dump of read data and save to file 10. P/E Cycle(P/E cycle number, flexible settings of program patterns) 11. script execution(Renice script Language; SSL) 12. Error rate measurement(Bit ER, Page ER after ECC) 13. ECC strength settings(code length and correctable error number) 14. Data retention measurement(time vs bit error) 15. Program disturb measurement(P/E cycle vs bit error) 16. Error distribution(page/column dependence)
支持下列Nand Flash 目前測試已經支持到16nm，3D Nand等可以根據客戶需求進行升級 1. onFI 3.2 / Toggle DDR 2.0(SLC / MLC / TLC) 2. NAND IF : Asynchronous / Synchronous / Toggle DDR 3. Package : TSOP 48pin, BGA 63/100/132/152pin 4. Verified to work with latest NAND device 5. (Toshiba 19nm, Micron/Intel 20nm, Samsung 21nm）
AXD安信達深耕經營閃存存儲市場近十年，擁有優異的客制化能力、嚴謹的制造質量與實時的技術支持，不但是企業最佳的合作伙伴，更通過多家一級大廠認證，致力于為客戶提供可靠 可信 產品與服務。
